Команда исследователей из университета Северной Каролины нашла решение, которое позволит значительно удешевить процесс производства.
Ученые обнаружили, что путём наслаивания материалов толщиной в 1 атом можно создавать полупроводники, эффективно передающие заряд независимо от сохранения соответствия кристаллических решёток в используемых материалах.
Авторы открытия отметили, что новый подход позволит существенно удешевить производство полупроводников.
Наиболее перспективным, по их мнению, является использование данного открытия в производстве солнечных батарей, лазеров и светодиодов.
Поскольку современное производство полупроводников является дорогостоящим из-за использования материалов с идентичными кристаллическими решетками и их точного накладывания друг на друга, ограничиваются варианты используемых материалов. Кроме того, это вызывает необходимость применения высокоточного дорогостоящего оборудования.
По словам доктора Линьу Цао, являющегося одним из авторов открытия, структура кристаллической решетки не имеет никакого значения, если использовать материалы толщиной в один атом (2-D).
Для эксперимента ученые использовали сульфид молибдена и сульфид вольфрама, но это фундаментальное открытие, которое относится к любому 2-D материалу. Таким образом, можно использовать любую комбинацию из 2-х и более полупроводниковых материалов и накладывать их в случайном порядке.
Цао добавил, что использование их открытия в промышленных масштабах может существенно снизить стоимость производства полупроводников без ухудшения эффективности их работы.
