Совместное предприятие Intel и Micron, занятое выпуском флэш-памяти, в 2015 году приступит к выпуску флэш-памяти с объемной компоновкой. По словам Intel, это позволит предложить потребителям твердотельные накопители вдвое большего объема, чем есть сейчас на рынке.
Увеличить объем позволит как раз трехмерная компоновка, при которой ячейки памяти располагаются в кристалле слоями один поверх другого. В случае микросхем, которые планируют выпускать Intel и Micron, речь идет о 32 слоях, что позволит получить плотность 256 Гбит (32 ГБ) в расчет на один чип MLC NAND. Если использовать эту технологию для выпуска памяти TLC NAND, способной хранить три бита в каждой ячейке, плотность достигнет 384 Гбит (48 ГБ).
По словам Intel, такая память сделает возможным в ближайшие год-два SSD объемом 10 ТБ. Предполагаемую цену таких накопителей производитель называть не стал, но упомянул, что переход на объемную компоновку обеспечит «прорыв в стоимости».
Остается напомнить, что компания Samsung уже выпускает 32-слойную флэш-память NAND и SSD на ее основе.
