Samsung Electronics интегрирует флэш-память в микросхему NFC

в 13:27, , рубрики: Новости, метки:

Компания Samsung Electronics поделилась новым достижением в области высоких технологий. Ее специалистами создана микросхема S3FWRN5, реализующая функциональность интерфейса NFC (включая радиочастотные цепи) и характеризующаяся высокой степенью интеграции. По сравнению с предшествующей моделью S3FNRN3 она имеет вдвое больший радиус действия в режиме считывания и в режиме эмуляции карточки.

При этом на плате устройства микросхема занимает участок размерами всего лишь 2,4 x 2,4 мм. Это делает S3FWRN5 самой маленькой автономной микросхемой NFC в отрасли. Производители смартфонов могут использовать S3FWRN5 как самостоятельное изделие или в составе сборки System-in-Package (SiP) со встроенным элементом защиты (embedded secure element, eSE).

Кстати, S3FWRN5 — единственная микросхема NFC, выпускаемая по 45-нанометровому техпроцессу e-Flash. Наличие встроенной флэш-памяти позволяет обновлять встроенное ПО, добавляя новые функции. Этим обеспечивается большая гибкость по сравнению с микросхемами, в которые встроена память ROM.

Производитель отмечает использование фирменной технологии LPS (low power sensing), представляющей собой оптимизированный алгоритм, позволяющий обнаруживать сигналы при минимально возможном уровне энергопотребления. Благодаря LPS энергопотребление удалось снизить примерно на 25% по сравнению с предыдущим подобным решением из ассортимента Samsung.

Микросхема получила сертификаты Europay, MasterCard и Visa (EMV), China UnionPay, China Mobile Communication Corporation (CMCC) и NFC Forum, будучи совместимой с бесконтактными устройствами чтения NFC и тегами NFC во всем мире.

Серийный выпуск новинки начался в этом полугодии. Микросхема используется в смартфоне Samsung Galaxy Note 4.

Источник: Samsung Electronics

Источник

* - обязательные к заполнению поля


https://ajax.googleapis.com/ajax/libs/jquery/3.4.1/jquery.min.js