Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска первой в отрасли объемной флэш-памяти 3D V-NAND, в которой по вертикали интегрировано 32 слоя ячеек памяти. Эта память относится ко второму поколению флэш-памяти Samsung 3D V-NAND.
В чипах первого поколения, выпуск которых начался в августе прошлого года, было 24 слоя ячеек. Производитель отмечает, что увеличение числа слоев, хотя и требует более высокого уровня технологии проектирования, зато обеспечивает существенное повышение эффективности производства, поскольку можно использовать практически то же самое оборудование, что и для памяти 3D V-NAND первого поколения.
Одновременно было объявлено о выпуске твердотельных накопителей объемом 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ, в которых используется новая флэш-память. В отличие от твердотельных накопителей на базе флэш-памяти 3D V-NAND первого поколения, предназначавшихся для серверов, новые SSD позволят Samsung охватить верхний сегмент ПК.
По данным производителя, новые SSD примерно вдвое превосходят по ресурсу записи накопители, в которых используется планарная флэш-память MLC NAND, и потребляют на 20% меньше электроэнергии.
Позже в этом году Samsung планирует выпустить новые модели SSD на базе флэш-памяти 3D V-NAND второго поколения с еще более высокими показателями объема и надежности.
Источник: Samsung Electronics
