Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) расширила линейку 24-нанометровой флэш-памяти BENAND с одноуровневыми ячейками (SLC) NAND и встроенным восьмиразрядным механизмом коррекции ошибок (ECC). Новые микросхемы плотностью 8 ГБ можно использовать в устройствах, рассчитанных на использование памяти NAND, выпускаемой по нормам 4x нм (4xnm).
Память BENAND освобождает процессор от нагрузки, связанной с коррекцией ошибок, и позволяет конструкторам использовать передовую технологию флэш-памяти NAND. Для облегчения перехода к новой памяти такие особенности, как размер страницы и блока, размер резервной области, набор команд, интерфейс и корпус сделаны таким же, как у микросхем SLC NAND 4xnm.
Переход к более тонким технологическим нормам позволяет снизить цену флэш-памяти NAND, но ячейки уменьшенного размера имеют меньший ресурс и надежность. Вследствие этого для поддержания желаемых уровней надежности требуется более сложная коррекция ошибок. Например, для чипов SLC NAND 4x нм требуется одноразрядный механизм коррекции ошибок (ECC), 3xnm SLC NAND — четырехразрядный, а для 2xnm SLC NAND — восьмиразрядный.
Традиционно механизм коррекции ошибок встраивался в контроллеры, что делало переход на более новые и дешевые микросхемы NAND дорогостоящей и времяемкой задачей, так как для обеспечения требуемого уровня коррекции ошибок приходилось менять контроллер. Модули BENAND изменяют эту парадигму за счет переноса механизма коррекции ошибок (ECC) в микросхему NAND. Это позволяет использовать существующие контроллеры с новыми микросхемами NAND, снижая материальные затраты и сокращая стоимость разработки систем при сохранении высокой надежности памяти SLC NAND.
Источник: Toshiba
