По сообщению компании Renesas Electronics, ее специалистами разработана первая в отрасли встраиваемая флэш-память для микроконтроллеров, рассчитанная на выпуск по нормам 28 нм.
Использование 28-нанометровой технологии позволит увеличить объем встроенной флэш-памяти. Потребность в увеличении объема вызвана усложнением задач, решаемых микроконтроллерами, в частности, работающими в составе автомобильной электроники и в реальном времени управляющими работой двигателя.
Микроконтроллеры Renesas, выпускаемые сейчас по нормам 40 нм, могут иметь до 8 МБ встроенной флэш-памяти. Используя новую разработку, можно создавать однокристальные решения, включающие более 16 ГБ флэш-памяти.
Прототип, изготовленный Renesas, работает на частоте 160 МГц (40-нанометровая память работает на частоте 140 МГц), может хранить информацию до 20 лет и характеризуется ресурсом 250 000 перезаписей.
Дополнительным выигрышем от перехода на нормы 28 нм является снижение энергопотребления.
В новой памяти используется технология MONOS (Metal Oxide Nitride Oxide Silicon) и транзисторные структуры собственной разработки Renesas.
Источник: Renesas Electronics
