Компания Toshiba объявила о создании памяти eXtremely Low Leakage (XLL) SRAM со сверхмалыми утечками, которая позволит микроконтроллерам быстро выходить из режима глубокого сна.
Для многих электронных устройств с батарейным питанием малое энергопотребление критически важно. Это справедливо по отношению к устройствам носимой электроники, мониторам физической активности и беспроводным датчикам. Хотя снижению энергопотребления препятствует много факторов, по мере освоения все более тонких техпроцессов на передний план выходит уменьшение тока утечки. Особенно важно уменьшить его в случае памяти с произвольным доступом, в которой хранятся данные в режиме ожидания.
Типичный микроконтроллер существенно снижает энергопотребление при переходе в режим глубокого сна (ток может снизиться до 1µA). Однако обычная память SRAM не сохраняет данные при таком токе, поскольку ей в режиме ожидания нужен существенно больший ток. В результате при выходе микроконтроллера из режима сна необходима повторная загрузка данных в оперативную память, а это требует времени. Выходом могло бы стать использование памяти FRAM, но она медленнее SRAM, в активном режиме потребляет больше и удорожает производство.
В случае XLL SRAM ток утечки в тысячу раз ниже, чем у обычной SRAM: для одного бита памяти, изготовленной по нормам 65 нм, он равен 27 фА. Это меньше, чем даже у памяти SRAM, выпускаемой по более тонкой технологии. Без замены или подзарядки батарейки новая память может хранить данные более 10 лет. Она характеризуется временем доступа 7 нс.
Секрет новой памяти кроется в новых транзисторах, из которых построены ее ячейки. Подробнее о разработке производитель рассказал на недавней конференции ISSCC 2014.
Компания Toshiba планирует использовать новую память в своей продукции уже в текущем году.
Источник: Toshiba
