Компания Peregrine Semiconductor, разработавшая технологию выпуска радиочастотных цепей с использованием кремния на изоляторе (RF SOI), представила первый конфигурируемый радиочастотный интерфейс UltraCMOS Global 1. Как утверждается, впервые поставщики платформ 4G LTE и производители, работающие на условиях OEM, смогут сэкономить время и деньги за счет проектирования одного устройства, подходящего для разных регионов.
Наличие более 40 частотных диапазонов и огромного количества режимов требует таких возможностей переконфигурирования, какие, по словам Peregrine, может обеспечить только продукт, выпускаемый по технологии CMOS. В состав однокристального решения Global 1 входит многорежимный, многополосный усилитель мощности, коммутатор усилителя, цепи коммутации и настройки антенны. По оценке производителя, усилитель мощности Global 1 при работе сигналом LTE сравним с лучшими усилителями, изготавливаемыми с использованием арсенида галлия (GaAs) и на 33% превосходит по эффективности другие усилители мощности, изготавливаемые по технологии CMOS.
Производитель намерен показать UltraCMOS Global 1 на выставке MWC 2014. В текущем году разработка UltraCMOS Global 1 будет полностью завершена, а в 2015 году начнется серийный выпуск.
Источник: Peregrine Semiconductor
