Как мы уже сообщали, под занавес прошлого года компания Samsung объявила о выпуске первых в отрасли микросхем мобильной памяти LPDDR4 DRAM плотностью 8 Гбит. Одновременно о выпуске микросхем мобильной памяти LPDDR4 DRAM плотностью 8 Гбит объявила компания SK Hynix, тоже не преминувшая назвать их «первыми в мире».
Как и в случае продукции Samsung, микросхемы SK Hynix выпускаются по техпроцессу «20-нанометрового класса». Они поддерживают передачу данных со скоростью 3200 Мбит/с, работая при напряжении питания 1,1 В. Для сравнения: показатели серийно выпускаемой сейчас памяти LPDDR3 DRAM равны 1600 Мбит/с и 1,2 В.
Отметим, что память LPDDR4 DRAM еще не стандартизована отраслью. Чтобы ускорить этот процесс, SK Hynix отправляет образы новых микросхем крупным заказчикам и производителями однокристальных систем. Серийный выпуск этой памяти SK Hynix рассчитывает начать во втором полугодии. Ожидается, что до конца года память LPDDR4 появится во флагманских моделях мобильных устройств, а ее широкое распространение придется на 2015-2016 годы.
Источник: SK Hynix
