Работники Национального исследовательского университета «МЭИ» создали новый источник излучения для EUV-литографии — с повышенным КПД относительно нынешних разработок. Для этого ученые добавили литий в гелиевый плазменный заряд. Новый источник позволит выпускать интегральные схемы по более тонкому техпроцессу и с большим быстродействием. Пока разработка находится на стадии прототипа, но в конечном итоге такой источник планируется применять в российских литографах.
«В МЭИ разработали экспериментальный образец источника излучения в экстремальном ультрафиолете. Эксперименты с добавлением лития в гелиевый плазменный разряд показали возможность создания стационарного источника, востребованного технологией ЭУФ-литографии, которая применяется в микроэлектронике для уменьшения характерных размеров элементов схем, в результате чего увеличивается их быстродействие и уменьшается размер изделия», — рассказали в вузе.
