Стремительный рост рынка смартфонов привёл к тому, что буквально за несколько лет мы пришли к ситуации, когда некоторые устройства средней ценовой категории (а в случае китайского рынка, и бюджетной) оснащаются 2 ГБ оперативной памяти. Вопрос в необходимости такого объёма остаётся за кадром. Сегодня компания Samsung официально заявила, что первой приступает к выпуску компонентов памяти типа LPDDR3 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. В случае Samsung это означает диапазон от 20 до 29 нм.
Используя данные компоненты, компания способна создавать чипы объёмом 3 ГБ. Максимальная скорость достигает 2133 Мбит/с. Мобильный процессор будет соединяться с такой памятью по двум симметричным каналам с раздельным доступом каждого к 1,5 ГБ памяти. По слухам, первым смартфоном с объёмом оперативной памяти 3 ГБ станет Galaxy Note 3.
