Исследователи из университета Пердью в штате Индиана разработали новую полупроводниковую технологию, которая, как ожидается, может подхватить эстафету у современной технологии, стремительно приближающейся к порогу миниатюризации, за которым ее применение становится принципиально невозможным.
Новая технология основывается на использовании слоев из «двухмерных нанокристаллов» толщиной менее одного нанометра. Из этих слоев исследователям удается формировать структуры, способные заменить сегодняшние транзисторы.
Сульфид молибдена, из которого изготовлены слои, исследователи рассматривают в качестве преемника кремния, служащего основой технологии CMOS. Точнее говоря, одного из материалов, сочетание которых, по их словам, позволит развивать микроэлектронику дальше.
Сегодняшняя технология позволила уменьшить размеры затворов транзисторов — ключевых элементов микросхем — до 14 нм. В перспективе ожидается освоение норм 10 и 6 нм. Однако возможность дальнейшего уменьшения вызывает большие сомнения из-за физических ограничений. В случае многослойных структур толщина слоя составляет всего 0,7 нм, что примерно соответствует трем-четырем рядам атомов.
Источник: Университет Пердью
