По традиции Samsung стала постепенно делать намёки на характеристики своего будущего флагмана, например, на возможность появления камеры в цифровом пере S Pen. И хотя очередная новость от корейского гиганта напрямую не связана с Galaxy Note 10, она, по крайней мере, даёт надежду, что следующий смартфон не разочарует, когда речь зайдёт о наличии быстрой оперативной памяти.
В прошлом году компания Samsung похвасталась выпуском первых в отрасли чипов оперативной памяти LPDDR5, но их ёмкость была лишь 8 Гбит. На этот раз компания добилась большей вместимости при той же физической площади кристаллов, выпустив 12-гигабитные чипы. Этот продукт позиционируется в том числе для мобильных телефонов — прежде всего, нового поколения с поддержкой сетей 5G. Samsung упомянула, что в этом месяце также планирует начать массовый выпуск 12-Гбайт упаковок, объединяющих 8 кристаллов LPDDR5 — так что, возможно, Galaxy Note 10 действительно получит такую память.
Как отмечает Samsung, использование кристаллов LPDDR5 обещает теоретическую скорость передачи данных до 5500 Мбит/с — выше, чем у предыдущего поколения LPDDR4X с их 4266 Мбит/с. На практике это означает, что за одну секунду можно передать 44 Гбайт данных или 12 фильмов в разрешении Full HD (при среднем размере 3,7 Гбайт). Конечно, всё в оперативной памяти, а не между накопителями NAND. Производитель отмечает, что новые 12-Гбит чипы LPDDR5 производятся с соблюдением 10-нм техпроцесса и используют на 30 % меньше энергии, чем предыдущее поколение.
Samsung также планирует в следующем году представить 16-Гбит кристаллы LPDDR5.