Компания Samsung Electronics, лидирующая на рынке памяти DRAM, объявила о разработке третьего поколения 10-нанометрового техпроцесса, который известен под обозначением 1z нм. Первым в отрасли южнокорейский производитель представил память DRAM DDR4 плотностью 8 Гбит, изготавливаемую по нормам 1z нм. Отметим, что это произошло всего через 16 месяцев с момента начала массового производства кристаллов DDR4 такой же плотности по нормам 1y нм, и производитель смог обойтись без перехода на использование литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV), снова отодвинув границу масштабирования DRAM.
Переход на 1z нм привел к повышению производительности DDR4 DRAM более чем на 20%.
Серийный выпуск кристаллов DDR4 плотностью 8 Гбит, изготавливаемых по нормам 1z нм, начнется во втором полугодии. Эта память будет предназначена для корпоративных серверов следующего поколения и высокопроизводительных ПК, которые должны появиться на рынке в 2020 году.
