Компания SK Hynix сообщила о разработке микросхемы оперативной памяти DDR4 (Double Data Rate 4) плотностью 8 Гбит, рассчитанной на выпуск по технологии 1Ynm. По сравнению с подобными изделиями, выпускаемыми по технологии предыдущего поколения 1Xnm, производительность удалось увеличить на 20%, а потребление энергии снизить более чем на 15%.
Новая память поддерживает скорость передачи данных 3200 Мбит/с, являясь самой быстрой памятью DRAM DDR4. Для повышения скорости и стабильности передачи данных разработчики использовали схему четырехфазной синхронизации.
Уменьшение технологических норм приводит к повышению вероятности ошибки данных из-за уменьшения транзисторов. Этот эффект компенсируется улучшениями в структуре транзисторов и фирменной разработкой под названием Sense Amp. Control. Для снижения энергопотребления в память встроен маломощный источник питания.
Производитель намерен использовать техпроцесс 1Ynm, выпуская память для серверов, ПК и мобильных устройств. Поставки новой памяти SK Hynix планирует начать в первом квартале будущего года.
