Компания Samsung Electronics сообщила о том, что она приступила к массовому производству второго поколения 10-нанометровой оперативной памяти LPDDR4X, предназначенной для смартфонов и других мобильных устройств.
По сравнению с первым поколением новые модули LPDDR4X DRAM потребляют на 10% меньше энергии, имея ту же самую скорость передач данных 4266 Мбит/с.
В компании заявили о создании модуля LPDDR4X объемом 8 ГБ, используя четыре 16-гигабитных чипа LPDDR4X DRAM, изготовленных по нормам 10 нм (1y-nm). Такая четырехканальная память позволяет осуществлять передачу данных на скорость 34,1 ГБ/с, при этом толщина модуля уменьшилась на 20% по сравнению с такой же памятью первого поколения, что позволит производителям создавать более тонкие и энергоэффективные мобильные устройства.
В обозримом будущем Samsung планирует предлагать заказчиками мобильную оперативную память LPDDR4X в вариантах объемом 4, 6 и 8 ГБ.
