Специалисты исследовательского отделения IBM в Цюрихе и их коллеги из Рейнско-Вестфальского технического университета в Ахене создали новую энергонезависимую память, построенную на изменении фазового состояния вещества.
В отличие от ранее разработанных аналогов, в которых используется компаунд из германия сурьмы и теллура (GeSbTe), в новой памяти используется только сурьма (Sb). Это позволяет уменьшить размеры ячеек для повышения плотности хранения, поскольку в микроскопических структурах из компаунда сложно выдержать необходимое соотношение составляющих и отсутствие примесей, результатом чего становится уменьшение процента выхода годной продукции, а при использовании только одного материала такой проблемы нет.
В новой памяти стекловидная пленка сурьмы толщиной от 3 до 10 нм, получаемая быстрым охлаждением расплава, заключена между слоями кремния толщиной 40-200 нм. В прототипах исследователям удавалось менять состояние пленки из проводящего в непроводящее или обратно за 50 нс, что соответствует частоте 20 МГц. Пока это не впечатляет в сравнении с существующей памятью, но исследователи уверены, что скорость можно повысить, приблизившись к показателям DRAM.
Самым большим препятствием на пути к серийному производству является ограниченный срок службы стекловидной сурьмы. При типичной рабочей температуре бытовой электроники 60-70°C он составляет всего 100 с. Однако исследователи уверены, что и этот параметр можно улучшить. Возможно, это будет сделано изменением толщины пленки, переходом к объемным структурам или использованием другого материала вместо кремния.
