Компания Toshiba объявила о создании встраиваемой памяти типа SRAM, характеризующейся сверхнизким энергопотреблением. По данным производителя, тестирование прототипа показало, что потребляемая мощность в активном режиме снизилась на 27%, в режиме ожидания — на 85% по сравнению с существующими образцами. Ожидается, что эта память найдет применение в больших интегральных схемах для смартфонов и других мобильных устройств.
Снизить потребляемую мощность удалось с помощью специальных цепей, контролирующих нагрузку на линиях данных. При малой нагрузке чип остается холодным и потребление в активном режиме сопоставимо с потреблением в режиме ожидания. Когда нагрузка возрастает (данные передаются более активно), температура чипа повышается, что приводит к возрастанию токов утечки и повышению энергопотребления. Ограничивая при повышении нагрузки в активном режиме питание определенных участков схемы, можно обеспечить значительное снижение энергопотребления. Другое усовершенствование схемы позволило снизить энергопотребление в режиме ожидания.
Когда разработку можно будет встретить в коммерческих продуктах, производитель не сообщает.
Источник: Toshiba
