О памяти HBM3 мы раньше ничего конкретного не знали. Разве что источники говорили, что ранее 2019 года её на рынке ожидать не стоит.
Теперь же кое-какие подробности стали известны благодаря документам Rambus. Отметим, что в документах значатся ранние спецификации новой памяти, так что к моменту вывода на рынок они могут измениться.
Как можно видеть на изображении, скорость передачи данных на один вывод вырастет вдвое и достигнет 4000 Мбит/с. Это соответствует пропускной способности в 512 ГБ/с при сохранении той же ширины шины. Однако данный параметр, к сожалению, не указан. Можно предположить, что он также вырастет, так что пропускная способность будет ещё выше. HBM3, как ожидается, будет производиться по семинанометровому техпроцессу.
Также на изображении можно видеть и данные об оперативной памяти DDR5, которая тоже будет использовать нормы 7 нм. Для неё есть только один параметр — скорость передачи данных, равная 4800-6400 Мбит/с. Но при этом про DDR5 ранее упоминания уже были.
