Группе японских исследователей удалось создать светодиод, работающий в области дальнего ультрафиолетового излучения, который, как утверждается, имеет рекордно высокие выходные характеристики.
В проекте участвовали специалисты отделения прикладной химии токийского университета сельского хозяйства и технологии (Tokyo University of Agriculture and Technology, TUAT), а также их коллеги из университета штата Северная Каролина, компаний HexaTech и Tokuyama.
Созданный участниками проекта светодиод при прямом токе 150 мА характеризуется выходной мощностью 20 мВт и внешней квантовой эффективностью 3,0%. Длина волны излучения светодиода — 260 нм.
Компания Tokuyama намерена уже в этом году сделать образцы светодиодов доступными для ознакомления потенциальными заказчиками, а к 2015 финансовому году приступить к коммерческим поставкам. В компании надеются, что ультрафиолетовые светодиоды заменят ртутные лампы в дезинфицирующих установках в медицине, пищевой промышленности и при очистке воды.
Создание светодиодов, работающих в области дальнего ультрафиолетового излучения, сталкивается двумя препятствиями: сложностью получения высококачественной подложки из монокристалла нитрида алюминия (AlN) и формированием структуры светодиода.
Справиться с этими препятствиями помог разработанный учеными метод быстрого выращивания кристаллов AlN по технологии HVPE (hydride vapor phase epitaxy), на которую уже получен патент в Японии и США. При этом затравочный кристалл AlN был изготовлен методом сублимации, как утверждается, впервые в мире.
Источник: Tech-On!
