Компания Globalfoundries представила 12-нанометровую технологическую платформу, построенную на использовании полностью обедненного кремния на изоляторе (FD-SOI). Платформа 12FDX продолжает направление, заданное в прошлом году 22-нанометровой платформой 22FDX. По словам производителя, 12FDX подходит для выпуска полупроводниковой продукции, предназначенной для мобильных устройств, оборудования сетей 5G и других приложений, где востребован оптимальный баланс между производительностью, энергопотреблением и стоимостью.
Напомним, технология FD-SOI позиционируется как альтернатива FinFET. По оценке Globalfoundries, 12FDX обеспечит такую же производительность, как 10-нанометровая технология FinFET, но меньшее энергопотребление при стоимости, меньшей, чем стоимость 16-нанометровой FinFET. Превосходство над современной технологией FinFET по производительности составляет 15%, выигрыш в энергопотреблении — 50%.
По словам Globalfoundries, 12FDX устанавливает новую планку системной интеграции, позволяя объединять в одном кристалле радиочастотные цепи, блоки аналоговой обработки сигнала, встроенную память и сложные логические схемы. Достоинством 12FDX является самый широкий в отрасли диапазон напряжений питания и возможность программного конфигурирования параметров транзисторов, позволяющая получить максимальную производительность с сохранением высокой энергетической эффективности.
К освоению технологии 12FDX готовится дрезденская фабрика Globalfoundries Fab 1. Передача в производство первых заказов запланирована на первое полугодие 2019 года.
Источник: Globalfoundries
