Компания Everspin Technologies, в 2012 году выпустившая первые микросхемы памяти ST-MRAM для высокопроизводительных систем хранения, анонсировала начало поставок первых в отрасли микросхем ST-MRAM плотностью 256 Мбит.
Магниторезистивная память ST-MRAM (Spin-Torque Magnetoresistive RAM) характеризуется высоким быстродействием и долговечностью, а также способностью хранить информацию в отсутствие питания. По скорости записи ST-MRAM превосходит флэш-память NAND более чем в 100 000 раз. В отличие от флэш-памяти, в ST-MRAM нет необходимости в распределении нагрузки, поскольку износ при записи практически отсутствует.
Микросхемы плотностью 256 Мбит Everspin относит к третьему поколению ST-MRAM, отмечая, что поддержка DDR3 упрощает их использование в твердотельных накопителях и контроллерах RAID. Производитель уже разрабатывает микросхемы ST-MRAM плотностью 1 Гбит с интерфейсом DDR4. Производственным партнером Everspin выступает компания Globalfoundries.
Источник: Everspin Technologies
