Приветствуем наших читателей на страницах блога iCover! Как заявил в своем интервью VentureBeat представитель компании Samsung, в новые модели Galaxy S7 и Galaxy S7 Edge вновь вернется ставший уже привычным пользователям слот microSD, который будет поддерживать карты объемом до 200 ГБ. Вероятнее всего, такая мера оказалась вынужденной, после изучения Samsung реакции своих почитателей, в целом негативно воспринявших отсутствие слота и съемной батареи в Galaxy S6-S6 Edge.
О том, что еще интересного, согласно версии портала VentureBeat готовит Samsung в новых моделях, официальный анонс которых состоится уже совсем скоро, мы расскажем ниже.
Вопрос: «Почему Samsung вдруг отказался от microSD?» выглядит далеко не праздным. Вероятно в компании достаточно хорошо понимали, насколько негативной может оказаться реакция пользователей. Тем не менее Galaxy S6 вышли без слота, да еще и с несъемной батареей. Самое вероятное объяснение – отказ в пользу более существенных приобретений, а если точнее, то в пользу освобождения свободного пространства, которого можно было бы использовать под батарею, сделав при этом телефон тоньше.
В качестве варианта отказа от слота microSD, как отмечается на страницах блога GSMArena, можно рассмотреть еще одну возможную причину – использование в S6 нового типа памяти UFS 2.0, которая смогла обеспечить скорость передачи данных на уровне SSD, превысив показатели абсолютного лидера гонки – памяти eMMC 5.0.
Сравнительное преимущество подтвердил тест памяти бенчмарком AndroBench, позволивший получить значения скоростей чтения и записи в произвольном и последовательном режимах. Полученные значения удалось сравнить с производительностью накопителей смартфонов других производителей и младшими представителями линейки Galaxy. Как утверждали в Samsung, память UFS 2.0, которая была установлена в Galaxy S6, оказалась в 2.7 раза быстрее чем модификация, использованная в решении Galaxy S5. Результаты теста продемонстрировали еще более убедительную разницу показателей – скорость возросла в 3.25 раза.
В то же время серия тестов накопителей смартфонов Galaxy Note 4 и Galaxy S5 в режиме произвольного чтения с установленной картой microSD продемонстрировали значение в 10 раз ниже чем в случае использования UFS 2.0.
Для наглядности обратимся к результатам теста (значения приведены в мегабитах в секунду)
Последовательное чтение:
- Samsung Galaxy S6 — 317,85;
- LG G3 — 239,68;
- HTC One M9 — 239,19;
- Samsung Galaxy Note 4 — 212,45;
- Samsung Galaxy S5 — 206,85;
- Samsung Galaxy Note 4 microSD — 78,41;
- Samsung Galaxy S5 microSD — 43,02.
Последовательная запись:
- Samsung Galaxy Note 4 — 126,69;
- HTC One M9 — 123,97;
- Samsung Galaxy S6 — 120,70;
- Samsung Galaxy S5 — 56,31;
- LG G3 — 39,53;
- Samsung Galaxy S5 microSD — 11,25;
- Samsung Galaxy Note 4 microSD — 10,73.
Произвольное чтение:
- Samsung Galaxy S6 — 78,03;
- Samsung Galaxy Note 4 — 22,10;
- LG G3 — 21,81;
- HTC One M9 — 20,27;
- Samsung Galaxy S5 — 18,79;
- Samsung Galaxy Note 4 microSD — 7,62;
- Samsung Galaxy S5 microSD — 7,08.
Произвольная запись:
- Samsung Galaxy S6 — 20,74;
- HTC One M9 — 13,93;
- Samsung Galaxy Note 4 — 10,71;
- LG G3 — 9,42;
- Samsung Galaxy S5 — 6,91;
- Samsung Galaxy S5 microSD — 0,69;
- Samsung Galaxy Note 4 microSD — 0,67.
Вместе с тем, нельзя отрицать, что относительно дешевые карты памяти microSD – универсальное, удобное и доступное средство для бэкапа данных. Несмотря на наметившиеся тренд отказа от слота microSD в премиальных смартфонах, Samsung достаточно долгое время боролась с такой тенденцией. В последних версиях решение таки было принято в расчете на то, что преимущества все-же перевесят возникшие неудобства. В качестве компенсации каждому пользователю Galaxy S6 Самсунг совершенно бесплатно предоставил 115 гигабайт облачного хранилища OneDrive.
Но … несмотря на очевидный прирост скорости, достигнутый за счет интеграции нового типа памяти, отсутствие в Galaxy S6 слота для microSD, как и несъемная батарея было признано одним из самых неудачных нововведений компании, тем более, что это решение заблокировало любую возможность использования карт памяти повышенной емкости, которые сегодня становятся более чем доступны.
Надо полагать, что именно “работа над ошибками”, проделанная аналитиками Samsung убедила их в необходимости возврату слота на свое законное место, о чем и сообщили представители компании в своем интервью VentureBeat. И возврат “блудного слота”, как сообщили в своем отчете последние, будет приурочен к анонсу следующей звездной пары — Galaxy S7 и Galaxy S7 Edge.
Прогнозы от VentureBeat
Согласно информации в отчете VentureBeat, модель Galaxy S7 будет оснащена 5.1 дюймовым дисплеем, а старшая версия S7 Edge – 5,5 дюймовым дисплеем криволинейной формы. Оба экрана Super AMOLED выйдут с прежним разрешением Quad HD 2560 х 1440 пикселей. Интересным нововведением станет поддержка дисплеем инновационной функции энергосбережения AOD (Always-on Display), обеспечивающей потребление экраном не более 1% заряда батареи в час без потери качества картинки.
Относительно несменной батареи – второго узкого места в версии S6, то этот момент, если верить VentureBeat, скорее всего, останется без изменений, но при этом емкость батарей у обоих флагманов существенно возрастет, составив, 3000 мАч для Galaxy S7 и 3600 мАч для Galaxy S7 Edge соответственно. Напомним, что у предшественников этот показатель, равнялся, соответственно 2550 мАч и 2600 мАч. Время, необходимое для беспроводной зарядки (поддерживается, как и в текущих версиях), соответственно, 2 и 2.2 часа для S7 и S7 Edge.
На оба телефона будет установлен новый восьмиядерный процессор Exynos 8 Octa 8890 с частотой 2,3 ГГц, изготовленный по 14-нанометровой технологии FinFET – первый процессор Samsung для мобильных устройств с вычислительными ядрами собственной разработки.
Exynos 8 Octa 8890 построен на архитектуре ARMv8 с поддержкой 64-битных инструкций и имеет конфигурацию big.LITTLE: ядра Samsung объединены в мощный блок “big”, в то время как модуль «LITTLE» содержит квартет ядер Cortex-A53.
Технология Heterogeneous Multi-Processing, реализованная в чипе позволяет одновременно использовать все восемь ядер. Как утверждает производитель, в сравнении с процессором Exynos 7 Octa 7420 достигается 30-процентное увеличение производительности и 10-процентный прирост энергетической эффективности. Графическая часть базируется на интегрированном контроллере ARM Mali-T880, ускорителе, превосходящем по быстродействию Mali-T760 на 80 % и позволяющем сэкономить, соответственно, до 40 % энергии.
Еще одна интересная особенность процессора Exynos 8 Octa 8890 — наличие встроенного модема LTE Rel.12, обеспечивающего скорость загрузки данных до 600 Мбит/с и скорость отправки данных до 150 Мбит/с.
Вместе с тем, как отмечает VentureBeat, с учетом того, что Samsung часто использует различные процессоры при поставке в разные регионы планеты, а также исходя из доклада руководства компании Qualcomm, существует большая вероятность, что в Северную Америку модели S7 и S7 Edge будут поставляться с процессором Qualcomm Snapdragon 820.
Обе версии S7 получат по 4Гб оперативной памяти и, в зависимости от варианта комплектации, будут оснащаться 32 Гб или 64 Гб ПЗУ. Однозначного ответа о подготовке варианта комплектации с 128 Гб ПЗУ представители Samsung пока не дали. Кроме того, оба флагмана выйдут пыле- и влагозащищенными и получат по сертификату IP67.
Несколько неожиданно воспринимается сообщение о том, что компания намерена урезать количество мегапикселей основной камеры CMOS с 16-ти (в S6) до 12-ти. Но, как пояснили в интервью представители Samsung, в новых моделях будет установлен более совершенный модуль с оптикой f / 1.7 (вместо f / 1.9 в S6), что позволит существенно улучшить качество съемки в условиях низкой освещенности. Фронтальная Selfie камера сохранит свои прежние значения на обеих модификациях.
Как отмечается в отчете VentureBeat, следуя ежегодной традиции, новинки Galaxy S7 и Galaxy S7 Edge Samsung намерен представить в канун выставки 2016 Mobile World Congress в Барселоне, а глобальные продажи начать в марте, предоставив своим почитателям выбор из трех цветов: черного, белого и золотого. Стоимость новинок пока не афишируется.
Источник: VentureBeat.com
Уважаемые читатели, мы всегда с удовольствием встречаем и ждем вас на страницах нашего блога. Мы готовы и дальше делиться с вами актуальными новостями, обзорными материалами и другими публикациями, и постараемся сделать все возможное для того, чтобы проведенное с нами время было для вас полезным. И, конечно, не забывайте подписываться на наши рубрики.
